创维半导体设计大厦坐落于深圳市南山区科技园高新南四道18号,是深圳特区成立30周年十大产业项目之一。作为南山区科技园的重要组成部分,这座大厦不仅在设计上独具匠心,还在配套设施和区位优势上展现了其独特的吸引力。以下是对该大厦的详细介绍。
创维半导体设计大厦于2010年8月24日正式奠基,历经3年的建设周期,于2013年竣工。大厦占地面积17025.5平方米,总建筑面积达124533.62平方米,计容建筑面积为84931.04平方米。建筑高度为99.8米,东、西两座塔楼各24层,地下3层,裙楼连接两座塔楼,地上5层,地下3层。
大厦的设计充分考虑了现代办公的需求。写字楼大堂高达10米,营造出宽敞明亮的空间感。2-5楼的标准层高为4.5米,6-24楼的标准层高为4米,办公标准楼层柱距为8.4米,每层面积约1628平方米,使用率高达70%-80%。大厦外墙采用金属铝板和玻璃幕墙,不仅美观大方,还具备优异的隔音和隔热性能,为入驻企业提供了舒适的办公环境。
创维半导体设计大厦的配套设施堪称一流,充分满足了企业和员工的需求。
创维半导体设计大厦吸引了众多知名企业入驻,尤其是科技和电子行业的企业。创维集团旗下的部分企业,如创维智能电器制造有限公司、创维集团建设发展有限公司等,均在此办公。此外,大厦还吸引了其他相关行业的企业,形成了浓厚的科技创新氛围。
以下是创维半导体设计大厦的房源信息、入驻企业及大楼参数的详细列表:
项目 | 详细信息 |
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占地面积 | 17025.5平方米 |
总建筑面积 | 124533.62平方米 |
计容建筑面积 | 84931.04平方米 |
建筑高度 | 99.8米 |
楼层分布 | 东、西座地上24层,地下3层;裙楼地上5层,地下3层 |
标准层面积 | 约1628平方米 |
使用率 | 70%-80% |
入驻企业 | 创维智能电器制造有限公司、创维集团建设发展有限公司等 |
创维半导体设计大厦凭借其优越的地理位置、完善的设计和配套设施,成为南山区科技园区的一颗璀璨明珠。无论是从建筑设计、交通便利性,还是从商业配套和入驻企业来看,这座大厦都展现了其作为现代化办公场所的独特魅力。未来,随着更多科技企业的入驻,创维半导体设计大厦将继续为深圳的科技创新发展贡献力量。